ICCS project ID: 68/05
Role: Partner
Acronym: ANTISiC
Call identifier: ΕΣΠΑ 2007-2012-ΣΥΝΕΡΓΑΣΙΑ 09 ΣΥΝ-32-1181

Development of novel power transistors and power inverter for photovoltaic applications using Silicon Carbide material, ANTISiC

Ανάπτυξη νέων τρανζίστορ και αντιστροφέα ισχύος φωτοβολταϊκών συστημάτων με χρήση καρβιδίου του πυριτίου (ANTISiC)”  στα πλαίσια του προγράμματος ΕΣΠΑ 2007-2012-ΣΥΝΕΡΓΑΣΙΑ 09 ΣΥΝ-32-1181

H τεχνολογία των φωτοβολταϊκών συστημάτων εξελίσσεται με εξαιρετικά ταχείς ρυθμούς καθιστώντας δύσκολη τη πρόσβαση, στη σχετική αγορά, νέων επιχειρήσεων. Η λύση είναι να υιοθετηθούν νέες τεχνολογίες με προοπτικές εφαρμογής μετά από 2-3 χρόνια τουλάχιστον ώστε να υπάρχει η σχετική άνεση χρόνου για την ανάπτυξη νέων προϊόντων τα οποία θα προσφέρουν σημαντική υπεραξία χάρις στην χρήση ιδίας τεχνογνωσίας. Η χρήση ημιαγωγικών διατάξεων από SiC σε παρόμοια συστήματα αποτελεί μια επιλογή η οποία μπορεί να προσφέρει τα προαναφερόμενα πλεονεκτήματα. Τα τρανζίστορ από SiC παραμένουν ακόμη σε επίπεδο πρωτοτύπων με πιθανή ευρεία εμπορική διάθεση στα επόμενα 2-3 χρόνια ενώ η ενσωμάτωσή τους στους μετατροπείς ισχύος των φωτοβολταϊκών συστημάτων θα προσφέρουν σημαντικά ανταγωνιστικά πλεονεκτήματα όπως: υψηλή απόδοση, υψηλή διακοπτική συχνότητα, υψηλές τιμές ελεγχόμενης ισχύος, μεγαλύτερη αξιοπιστία, ανάγκη για μικρότερη ψύξη. Στα πλαίσια του παρόντος έργου αναπτύχθηκαν αντιστροφείς φωτοβολταϊκών συστημάτων με βάση τρανζίστορ εγκαρσίου πεδίου ενώσεως (Junction Field Effect Transistor-JFET). Στο τέλος του έργου αυτού προέκυψε  η κατασκευή ενός γενικευμένου αντιστροφέα οποίος έχει την δυνατότητα να υλοποιηθεί με ημιαγωγικούς διακόπτες πολλών τύπων (Si ή SiC).